ክቢ ውጽኢት ሲሊኮን

Round effect Silicone ኣብ ምምላእን ሕብሪን ዘተኮረ ብዙሕ-ተግባራዊ ሕትመት ንብረት እዩ። ቅዲታት ክብ ዝበለ፡ ምሉእ፡ ብድሙቕ ሕብሪ፡ ነቲ ስእላዊ ጽልዋ ኣዝዩ ዘዕብዮ ክገብሮ ይኽእል። ቁሩብ ቀጢን ፈሳሲ ቅርጺ ዘለዎ ኮይኑ፡ ኣብ እዋን ምትሕውዋስን ሕትመትን ጽቡቕ ፈሳሲ ዘለዎ ኮይኑ፡ ንምስራሕ ቀሊልን ብዙሕ ጸገማት ከጉድል ዝኽእልን እዩ። መብዛሕትኡ ግዜ ምስ ተራ ልዑል-density ሲሊኮን ተደሚሩ ነቲ ናይ ገጽ ምድሓን ንምምላእ ይጥቀመሉ፣ እዚ ድማ ነቲ ቅዲታት ስሉጥ ይገብሮን ብሉጽ ናይ ሕብሪ ጽልዋታት ይበጽሕን። ክቢ ውጽኢት ሲሊኮን ብፍላይ ንዝተፈላለዩ ሕትመታት ሕብሪ ንምሃብ ዝምችእ እዩ። ኣብ ምምራጽ ስክሪን ፍሉይነታት ኣለዉ፡ ንሓደ ዓይነት ሽፋን ንምርግጋጽ 60 - 80 መትረብ ንመልእኽቲ ተጠቐም፤ ንሕብሪ120 - 150 መትረብ ተጠቐም እሞ እቶም ሕብራዊ ንጣብታት ዝያዳ ረቂቕ ንኽኸውን። ናይ120 - 150 ዲግሪ ናይ ምሕዋይ ሙቐት ተረጋጊጹ ኣሎ። Round effect ሲሊኮን ምሕዋይ ከቀላጥፍን ንብቕዓት ከማሓይሽን ጥራይ ዘይኮነስ ነቲ ጨርቂ ኣይጎድኦን ወይ ንኣፈጻጽማ ናይቲ ሲሊኮን ከዳኽሞ ኣይክእልን እዩ፣ እዚ ድማ ነቲ ቅዲታት ድሙቕን ነዊሕ ዝጸንሕን ንኽሃስስ ወይ ምቕያር ዘይቃላዕን ይገብሮ።

እቲ ቀንዲ ብልጫ፡ ክቡብ ውጽኢት ሲሊኮን ብክቡብ፡ ምሉእ ቅርጺን ድሙቕ ሕብርታትን ቅዲታት ክህብ ከም ዝኽእል፡ ምስ ፍሉጥ ስእላዊ ውጽኢት። እቲ ቁሩብ ቀጢን ቅርጺ ነቲ መስርሕ ስርሒት ስሉጥ ይገብሮ፣ ከም ጃሚንግ ወይ ምውህላል ዝኣመሰሉ ጸገማት ከም ዝንክዮ፣ ከምኡ’ውን ነቲ ናይ ስርሒት ጸገም ከም ዝንክዮ። ከም "መሻርኽቲ" ተራ ልዑል-ጽፍሒ ሲሊኮን፡ ክቢ ውጽኢት ሲሊኮን ንፍጥነትን ሕብሪ ውጽኢትን ቅዲታት ብኣድማዒ መንገዲ ከማሓይሽ ስለ ዝኽእል፡ ነቶም ሕትመታት ዝያዳ ረቂቕ ክገብሮም ይኽእል። እቲ ኣብ ግምት ዘእተወ ዲዛይን ናይ ምፍላይ ስክሪን ምርጫ፣ ምስ ምቹእ ስፔሲፊኬሽን ንመመሊን ሕብሪን ብቕደም ተኸተል፣ ሳዕቤናት ዝተፈላለዩ መስርሓት የረጋግጽ። እቲ ርትዓዊ ዝኾነ ናይ ምሕዋይ ሙቐት ንኽልቲኡ ብቕዓትን መከላኸሊ ንዋትን ኣብ ግምት ዘእተወ ኮይኑ፡ እቶም ውዱእ ፍርያት ጽቡቓትን ነዊሕ ዝጸንሑን፡ ከምኡ’ውን ሕብርን ሰለስተ-ዳይመንሽናሊቲን ክጉልሕ ኣብ ዘለዎ ስናርዮታት ብሉጽ ውጽኢት ከም ዝህብ ይገብሮ።

1. ኤሌክትሮኒካዊ ስኬል ተጠቐም፣ዝግባእ መጠን ናይ ክቢ ውጽኢት ሲሊኮን ውሰድ፣ ኣብቲ ምትሕውዋስ 10% (ወይ 2%) ሬሽዮ ወሲኽካ ምሕዋይ ካታሊስት ተጠቒምካ፣ ብመሰረት እቲ ናይ ሕትመት ጠለባት ድማ ዝምጥን መጠን ፈሳሲ ሲሊኮን ጎማ ቐጢን ወሲኽካ፣ ብማዕረ STIR.

2. ነቲ ዝተዳለወ ናይ ሲሊኮን ምህዋስ ኣብቲ መትረብ ፕሌት ኣፍስሶ እሞ ስክሬፐር ተጠቒምና ንለኽዮ።

3. ንሕብሪ ዝውዕል እንተኾይኑ 10% ሲሊኮን ሕብራዊ ፓስተ ወሲኽና ኣብቲ ናይ ሲሊኮን መሰረት 2 - 3 ግዜታት ንሕትም፣ ነቲ ንላዕሊ - ንታሕቲ ስክሬፐር ተጠቂምካ ክልተ ግዜ ተኸታቲልካ ክትሕክሞ ትኽእል። ድሕሪ ነፍሲ ወከፍ ሕትመት ቅድሚ እቲ ዝቕጽል ሕትመት ምንቃጽ የድልዮ።

4. ንመመላእታ እንተተጠቒምካሉ፡ ኣብቲ ክለዓላ ዘለዎ ሲሊኮን ሳብስትሬት ብቐጥታ 2 - 3 ግዜ ምሕታም፡ብዝሒ - ንታሕቲ ስክሬፐር ተጠቂምካ ክልተ ግዜ ተኸታቲልካ ክትሕክም ትኽእል። ድሕሪ ነፍሲ ወከፍ ሕትመት ቅድሚ እቲ ዝቕጽል ሕትመት ምንቃጽ የድልዮ።

ውዑይ መለለዪ: Round effect ሲሊኮን, ቻይና ክቢ ውጽኢት ሲሊኮን ኣፍረይቲ, ኣቕረብቲ, ፋብሪካ